Intel şi Micron produc un nou tip de memorie non-volatilă, de 1000x mai rapidă decât

[kenzake powah!]

Intel ÅŸi Micron au început producÅ£ia unui nou tip de memorie non-volatilă, proiectată de la zero pentru a fi mai rapidă, mai durabilă, mai încăpătoare ÅŸi mai puÅ£in costisitoare decât soluÅ£iile actuale bazate pe tehnologie NAND Flash.

Prezentate drept prima clasă de memorie non-volatilă complet nouă după introducerea chip-urilor NAND Flash în anul 1989,  memoriile cu tehnologie 3D XPoint sunt produsul a peste zece ani de cercetare ÅŸi dezvoltare, având drept Å£el găsirea unei alternative pentru tehnologiile actuale. Potrivit Intel,  noul tip de memorie a fost Ëproiectat de la zero pentru a adresa nevoia de memorii non-volatile capabile să ofere performanÅ£e, anduranţă ÅŸi capacitate crescută la un cost accesibilË.

ÃŽn timp ce tehnologia NAND Flash presupune folosirea de tranzistori pentru păstrarea informaÅ£iei, grupaÅ£i pe orizontală în blocuri de date care sunt citite/scrise cu ajutorul unui microprocesor specializat, tehnologia 3D XPoint renunţă complet la folosirea de transistori ca ÅŸi mijloc de păstrare a informaÅ£iei. ÃŽn schimb, chip-ul de memorie este organizat tridimensional folosind reÅ£ele suprapuse cu aspectul unei table de ÅŸah. Potrivit Intel Ëcelulele de memorie stau la intersecÅ£ia traseelor word line ÅŸi bit line, putând fi adresate individualË, de până la 1000x mai rapid decât este posibil cu memoriile flash tradiÅ£ionale.

Modul de organizare tridimensional ÅŸi renunÅ£area la tranzistori permite obÅ£inerea unor chip-uri de memorie cu densitate de 10x ori mai mare decât este posibil cu soluÅ£iile NAND flash, mai eficiente în ce priveÅŸte consumul de energie ÅŸi mai economice. VeÅŸtile bune nu se opresc aici, noile memorii cu de 1000x anduranÅ£a chip-urilor NAND eliminând una din problemele fundamentale ale tehnologiei flash - uzura rapidă în timp, direct proporÅ£ională cu numărul operaÅ£iilor de scriere/ÅŸtergere.